Die Chipindustrie bereitet den nächsten großen Umbruch in der Fertigungstechnik vor: TSMC und ASML kündigten am 7. September 2026 eine gemeinsame Initiative an, um den Übergang zu 12-Zoll-Photomasken für High-NA-EUV-Lithografie (NA 0.55) zu ermöglichen. Ziel ist eine Pilotlinie bis 2031 und Produktionsreife bis 2033, wie ASML mitteilte. Die Initiative soll den Wechsel von den bislang üblichen 6-Zoll- auf 12-Zoll-Photomasken vollziehen.
Breite Branchenunterstützung
Bereits am Folgetag, dem 8. September 2026, weitete sich das Bündnis aus: ASML veröffentlichte gemeinsame Erklärungen mit Intel Foundry, TSMC und Samsung Electronics, die alle auf denselben Übergang von 6-Zoll- zu 12-Zoll-Photomasken abzielen.
Auch Samsung Electronics trat der Initiative bei und plant den Einsatz von High-NA-EUV in der DRAM-Produktion bereits bis 2028. Intel wiederum unterstützt gemeinsam mit ASML, TSMC und Samsung die größeren Masken explizit im Hinblick auf die Fertigung von KI-Chips.
Auch SK Hynix zeigt Interesse: Der Speicherhersteller evaluiert derzeit die Umstellung auf größere Masken für High-NA-EUV mit dem Zieljahr 2028, wie berichtet wurde.
Größere Chips, mehr Produktivität
Laut ASML soll die Zusammenarbeit mit den großen Chip-Herstellern Bauteile mit Flächen von bis zu rund 800 Quadratmillimetern ermöglichen – ein Format, das mit den bisherigen 6-Zoll-Masken kaum praktikabel wäre. ASML rechnet durch die 12-Zoll-Maskeninitiative zudem mit einer Produktivitätssteigerung von 40 Prozent.
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TSMC selbst verfolgt beim Einstieg in die High-NA-EUV-Technologie einen gestaffelten Zeitplan: Der Auftragsfertiger plant den Start der Volumenfertigung (HVM) mit High-NA-EUV ab 2030, zunächst jedoch noch mit den bestehenden 6-Zoll-Masken. Die Umstellung auf das größere 12-Zoll-Format soll demnach parallel zur eigentlichen Initiative erfolgen und erst später in die Serienfertigung einfließen.
Intel als Vorreiter bei der Prozessreife
Über die Maskeninitiative hinaus meldete ASML eine bereits bestehende Zusammenarbeit mit Intel Foundry zur Beschleunigung der industrieweiten Reife von High-NA-EUV. Diese Kooperation hat nach Angaben von ASML bereits über eine Million Wafer verarbeitet. Zudem übertreffe der Intel-Prozess 18A mit High-NA-Technologie die Leistung des Vorgängersystems NXE, so ASML.
Einordnung
Während TSMC die Volumenfertigung mit High-NA-EUV erst ab 2030 plant, drängt Samsung bereits bis 2028 in die DRAM-Produktion. Der Zeitdruck steigt. Erhalten Sie den Benchmark-Report zu Produktivitätsgewinnen und planen Sie Ihre Investitionen mit Weitblick. Benchmark-Report jetzt sichern
Die Ankündigung markiert einen Schritt in Richtung eines koordinierten Branchenwechsels bei einer der teuersten und komplexesten Technologien der Halbleiterfertigung. Mit TSMC, Samsung, Intel und potenziell SK Hynix stehen vier der bedeutendsten Chiphersteller hinter der Initiative, was auf einen breiten industrieweiten Konsens zur Notwendigkeit größerer Photomasken hindeutet.
Die gestaffelten Zeitpläne der beteiligten Unternehmen – von Samsungs DRAM-Einsatz bis 2028 über TSMCs Volumenfertigung ab 2030 bis zur angestrebten Produktionsreife der 12-Zoll-Masken bis 2033 – zeigen, dass der vollständige Übergang ein mehrjähriger, gestaffelter Prozess sein wird, an dessen Ende jedoch nach ASML-Einschätzung erhebliche Effizienzgewinne für die gesamte Halbleiterindustrie stehen könnten.
