Der chinesische Speicherhersteller CXMT hat auf der World Manufacturing Convention in Hefei den Beginn der Massenproduktion seiner fünften DRAM-Generation, der sogenannten G5-Plattform, bekannt gegeben. Mit diesem technologischen Sprung untermauert das Unternehmen seine Ambitionen, zu den weltweit führenden Anbietern im Halbleitersektor aufzuschließen und die Dominanz etablierter Marktteilnehmer herauszufordern.
Technologische Meilensteine der G5-Plattform
Die neue G5-Plattform von CXMT nutzt fortschrittliche Fertigungsverfahren, um die Speicherdichte und Effizienz signifikant zu steigern. Das Unternehmen erreicht nach eigenen Angaben einen Active-Area-Half-Pitch von 11,95 nm.
Ermöglicht wird dies durch den Einsatz von SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning). Zu den weiteren technischen Spezifikationen gehören ein Array-Kondensator-Aspektverhältnis von 45:1 sowie eine Core Cell Array Height von 6.762 nm unter Verwendung von HKMG-Technologie (High-K Metal Gate).
Ein zentraler Vorteil der neuen Architektur liegt in der Produktionseffizienz: Die G5-Plattform erzeugt mindestens 50 % mehr Chip-Dies pro Wafer (DPW) als die vorangegangene Plattform auf 8-Gb-Basis.
Im Zuge dieser Entwicklung gehen zwei LPDDR5X-Produkte mit jeweils 24 Gb pro Die in die Massenproduktion. Dies entspricht einer Kapazitätssteigerung von 50 % gegenüber den Vorgängermodellen. Die Chips werden in den Packaging-Formen 496-Ball und 245-Ball angeboten und sollen im Vergleich zu bisherigen Lösungen eine um 50 % höhere Datenübertragungsrate liefern.
Wettbewerb und Marktpositionierung
Luo Xiaodong, Vizepräsident von CXMT, betonte im Rahmen der Bekanntgabe, dass sich die Prozesstechnologie des Unternehmens nun auf dem Niveau der neuesten Massenproduktions-Nodes befinde. Damit tritt CXMT in direkten Wettbewerb mit den Branchengrößen Samsung und SK Hynix, die für ihre Speicherprodukte ebenfalls 10nm-Klasse-Technologien nutzen.
CXMT hat seine fünfte DRAM-Generation in die Massenproduktion geführt — nach eigenen Angaben mindestens 50 % mehr Chip-Dies pro Wafer als die Vorgängerplattform, bei zwei LPDDR5X-Produkten mit je 24 Gb pro Die. Wer seine DRAM-Abhängigkeit von Samsung und SK Hynix reduzieren will, braucht dafür jetzt einen belastbaren Lieferanten- und Kostenplan statt Bauchgefühl. Unser kostenloser Report fasst Beschaffungs-Checkliste, Thermomanagement-Vergleich und HBM4-Yield-Benchmark für 2026 zusammen. Kostenlosen Beschaffungs-Report jetzt anfordern
Im zweiten Quartal 2026 belegte CXMT mit einem Anteil von 9,5 % am weltweiten DRAM-Umsatz den vierten Rang. Das seit 2026 am STAR Market in Shanghai notierte Unternehmen treibt zudem weitere Projekte voran: Während sich LPDDR6 bereits in der Massenproduktion befindet, durchläuft der Hochleistungsspeicher HBM3E derzeit die Testproduktion.
Der Gesamtmarkt für DRAM verzeichnete laut Marktforschern von TrendForce im zweiten Quartal 2026 ein deutliches Umsatzwachstum von 59,5 % gegenüber dem Vorquartal.
Fortschritte im begleitenden Ökosystem
Parallel zur Entwicklung leistungsfähigerer Speicherchips gewinnt das Thermomanagement und die Packaging-Technologie an Bedeutung, um die steigende Abwärme moderner Hochleistungskomponenten zu bewältigen. Branchenbeobachter von CITIC Securities identifizieren das Jahr 2026 als das erste Industrialisierungsjahr für Diamant-Thermomanagement.
Während Kupfer eine Wärmeleitfähigkeit von etwa 400 W/(m·K) aufweist, erreicht Diamant Werte zwischen 2.000 und 2.200 W/(m·K). Dies ist angesichts steigender GPU-Leistungen, die künftig bis zu 4.400 W erreichen könnten, von hoher Relevanz.
In diesem Umfeld präsentierte NovoLINC mit MaxLINC ein neues Thermal Interface Material (TIM) für KI-Chips, das eine Energieeinsparung bei der Kühlung von über 20 % verspricht. Gleichzeitig treibt TSMC die Validierung seiner Advanced-Packaging-Kapazitäten im Baipu Industrial Park voran, um die Zusammenarbeit mit Zulieferern bei der Entwicklung neuer Produktionslinien zu intensivieren.
Steigende GPU-Leistungen von bis zu 4.400 W und Wärmefluss jenseits von 1.000 W/cm² machen Kühlung zum größten Kostenblock im KI-Rechenzentrum — Kupfer mit rund 400 W/(m·K) stößt dabei an seine Grenzen, Diamant erreicht 2.000 bis 2.200 W/(m·K) und gilt Branchenbeobachtern zufolge in 2026 als erstes Industrialisierungsjahr. Unser Report zeigt, welche Thermomanagement-Pfade heute belegbar sind und wie Sie Kühlkosten senken, ohne die Rack-Dichte zu opfern. Thermomanagement-Report jetzt sichern
Auch die Konkurrenz schläft nicht: Samsung Electronics konnte die Ausbeute (Yield) bei HBM4-Speichern auf etwa 80 % steigern, nachdem diese zu Beginn unter 60 % gelegen hatte. Für das dritte Quartal 2026 erwartet Samsung beim HBM4-Umsatz eine Verdreifachung gegenüber dem Vorquartal.
Zudem sichert sich der Konzern durch Patente für Robot-Control-Systeme gegen die Herausforderungen der automatisierten Fertigung ab, um den Betrieb von Anlagen künftig zunehmend menschenleer zu gestalten.
