Mit der Vorstellung der Prozessplattform FDX Fusion am Standort Dresden hat der Auftragsfertiger GlobalFoundries am 9. Oktober 2026 seine technologische Ausrichtung für Anwendungen im Bereich der physischen künstlichen Intelligenz dargelegt.
Die neue Fertigungstechnologie zielt auf Bereiche wie Robotik, Automobilelektronik, Industrieautomation und Edge-KI ab. Dabei setzt das Unternehmen auf eine Weiterentwicklung der Fully-Depleted-Silicon-on-Insulator-Technik (FD-SOI) in der sogenannten 7-nm-Klasse und wählt damit einen alternativen Pfad zu klassischen FinFET-Transistorarchitekturen.
Architekturmerkmale: Planare Transistoren ohne EUV-Lithografie
Die FDX-Fusion-Plattform kombiniert Hochfrequenz-, Analog-, Embedded-Memory- sowie Low-Power-Compute-Funktionen auf einem einzigen Chip. Im Gegensatz zur reinen CMOS-Skalierung basiert die Technologie auf einer isolierenden Schicht unter dem Kanal mit planaren Transistoren anstelle von FinFET-Strukturen.
GlobalFoundries nutzt für die Fertigung eine rund 7 nm dünne Siliziumschicht und greift auf bewährte ArF-Immersionlithografie mit etwa 50 Maskenebenen zurück, wodurch der Einsatz aufwendiger EUV-Belichtungssysteme entfällt.
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Für Hochfrequenzanwendungen peilt das Unternehmen einen Zielwert von 0,5 THz für fT/fmax an. In Kooperation mit dem Forschungsinstitut CEA-Leti und dem Materialhersteller Soitec wurden dafür gestrainte Siliziumsubstrate entwickelt. Die Architektur unterstützt zudem Ultra-Low-Power-In-Memory-Computing sowie eingebettete nichtflüchtige Speicher wie eMRAM.
Im Vergleich zur ersten FDX-Generation, dem 2015 eingeführten 22FDX-Prozess der 22-nm-Klasse, soll FDX Fusion mehr als die doppelte Logik- und Integrationsdichte erreichen. Genaue Transistorabmessungen wurden dabei nicht veröffentlicht; das Unternehmen positioniert das Verfahren ausdrücklich nicht im direkten Vergleich zu klassischen 7-nm-FinFET-Prozessen von TSMC.
Strategische Rückkehr und Roadmap bis 2028
Für GlobalFoundries bedeutet FDX Fusion eine Rückkehr in den Bereich fortschrittlicher Fertigungsklassen, nachdem das Unternehmen im Jahr 2018 die Weiterentwicklung der klassischen 7-nm-FinFET-Technologie eingestellt hatte.
Der Zeitplan bis zum Serieneinsatz steht fest: Erste Demonstrator- und Validierungschips für Kunden sind für Anfang 2027 vorgesehen. Die Bereitstellung des Process Design Kits (PDK) soll Mitte 2027 erfolgen, bevor der Produktionsstart am Standort Dresden für 2028 geplant ist.
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Auf Kundenseite stößt die Plattform auf konkretes Interesse. Der Halbleiterhersteller Infineon prüft FDX Fusion ausdrücklich für Radar- und Funkkommunikationsanwendungen der 7-nm-Klasse; entsprechende Gespräche mit GlobalFoundries laufen bereits. Zudem haben Unternehmen wie Bosch, BMW, NXP, Siemens und Tesla sowie das CEA-Leti Interesse an der Technologie bekundet.
Werkserweiterung am Standort Dresden
Die Fertigung von FDX Fusion wird in das europäische Hauptwerk in Sachsen integriert. Das dort laufende SPRINT-Projekt, das ein Investitionsvolumen von 1,1 Mrd. Euro umfasst, liegt nach Unternehmensangaben im Zeit- und Budgetplan.
GlobalFoundries beschäftigt am Standort Dresden über 3.000 Mitarbeiter und verfügt gegenwärtig über eine Fertigungskapazität von 950.000 300-mm-Wafern pro Jahr. Ziel des Ausbaus ist es, bis Ende 2028 die Gesamtkapazität des Werks auf über 1 Mio. 300-mm-Wafer jährlich zu steigern, was das gesamte Technologiespektrum des Standorts einschließt.