Der chinesische Speicherhersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) hat Berichten zufolge mit der Kleinserienproduktion von High-Bandwidth-Memory der Generation HBM3E begonnen.
Wie aus Marktkreisen unter Berufung auf Informationen von Ende August 2026 hervorgeht, markiert dieser Schritt einen bedeutenden Fortschritt für die chinesische Halbleiterindustrie im Bereich leistungsstarker Speicherlösungen, die insbesondere für Anwendungen im Bereich der künstlichen Intelligenz (KI) kritisch sind.
Testphasen und technische Spezifikationen
An der Erprobung der neuen HBM3E-Chips sind namhafte Partner beteiligt. Demnach testen derzeit die Alibaba-Tochter T-Head sowie das Unternehmen Cambricon die Module von CXMT. Eine Integration in marktreife Produkte wird bereits für das Jahr 2026 in Aussicht gestellt. Die Massenproduktion einer 12-lagigen Variante des HBM3E-Speichers ist laut Planungen für das Jahr 2027 vorgesehen.
Technisch spezifiziert CXMT die HBM3E-Module mit einer 1024-Bit-Schnittstelle und Übertragungsraten von 9,2 bis 12,4 Gbps pro Pin. Dies ermöglicht eine Gesamtbandbreite von 1,2 TB/s bei Kapazitäten zwischen 24 GB und 36 GB.
Parallel dazu treibt das Unternehmen die Entwicklung klassischer Arbeitsspeicher voran: Im Bereich DDR5 werden aktuell Geschwindigkeiten von 5600 MHz erreicht, wobei eine Steigerung auf 6400 MHz angestrebt wird. Seit dem zweiten Quartal 2026 setzt CXMT zudem auf den sogenannten B1-Prozess in 16-Nanometer-Fertigung, der bereits eine Ausbeute (Yield) von über 90 Prozent erreicht habe.
Wettbewerbssituation und technologischer Rückstand
Trotz der aktuellen Fortschritte verbleibt CXMT im globalen Vergleich in einer Verfolgerrolle. Branchenexperten beziffern den technologischen Rückstand auf die Marktführer Samsung und SK hynix auf etwa drei bis fünf Jahre beziehungsweise zwei Chip-Generationen. Während CXMT die Produktion von HBM3E hochfährt, orientieren sich die führenden Wettbewerber wie Samsung, SK hynix und Micron bereits in Richtung der nächsten Generation HBM4.
Die Herausforderungen in der Fertigung zeigen sich auch bei älteren Technologien. Laut Analysen von SemiAnalysis lag die Ausbeute bei 8-lagigen HBM3-Modulen zuletzt bei etwa 25 Prozent. Dennoch konnte CXMT im zweiten Quartal 2026 einen Anteil von 7 Prozent am weltweiten DRAM-Umsatz erzielen.
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Massiver Gewinnsprung und Börsengang
Finanziell verzeichnete CXMT im ersten Halbjahr 2026 ein außerordentliches Wachstum. Der Umsatz stieg im Vergleich zum Vorjahreszeitraum um 874 Prozent auf 150,3 Mrd. Yuan. Nach Jahren in der Verlustzone meldete das Unternehmen einen Nettogewinn von 77,6 Mrd. Yuan, was einem Gewinnsprung von etwa 11,5 Mrd. US-Dollar entspricht.
Die Bruttomarge verbesserte sich signifikant von 12,7 Prozent im Vorjahr auf nun 84,8 Prozent. Ein bereinigter Nettogewinn von 78,8 Mrd. Yuan unterstreicht die wirtschaftliche Konsolidierung.
Zur Finanzierung der weiteren Expansion vollzog CXMT im Juli 2026 einen Börsengang in Shanghai. Dabei wurden Mittel in Höhe von 57,9 Mrd. Yuan (circa 8,6 Mrd. US-Dollar beziehungsweise rund 12 Bio. Won) erlöst.
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Ausbau der Fertigungskapazitäten
Das Unternehmen verfolgt ehrgeizige Ziele bei der Skalierung seiner Produktion. Die aktuelle Kapazität beläuft sich auf etwa 200.000 Wafer pro Monat. Geplant ist eine schrittweise Erhöhung auf 500.000 Wafer bis zum Jahr 2028 und schließlich auf 600.000 Einheiten. Langfristig visiert CXMT nach 2030 eine monatliche Kapazität von 800.000 Wafern an.
Flankiert werden diese Expansionspläne von juristischen Auseinandersetzungen auf internationaler Ebene. CXMT hat in den vergangenen Monaten Klage gegen das US-Verteidigungsministerium eingereicht, um gegen die Einstufung auf einer Liste militärisch relevanter Unternehmen vorzugehen.
