Der südkoreanische Elektronikriese liefert erste Muster des neuartigen HBM4E-Speichers aus – und will damit im boomenden KI-Markt zu den Marktführern aufschließen.
Seit dem 11. Juni rollen die ersten Exemplare der Branchenneuheit zu globalen Großkunden. Samsungs 12-Lagen-HBM4E-Speicher (High Bandwidth Memory 4E) bietet pro Stack 48 Gigabyte Kapazität und eine Datentransferrate von 14 Gigabit pro Sekunde – mit Potenzial auf bis zu 16 Gbps. Die Speicherbandbreite erreicht damit bis zu 3,6 Terabyte pro Sekunde.
Das bedeutet: mehr als 20 Prozent höhere Geschwindigkeit und 30 Prozent mehr Kapazität im Vergleich zur Vorgängergeneration HBM4.
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Technische Details und Produktionsstrategie
Die neuen Module basieren auf Samsungs sechster Generation der 10-Nanometer-Klasse-DRAM (1c-DRAM) und einem 4-Nanometer-Foundry-Base-Die. Neben der Rohleistung haben die Ingenieure auch die Effizienz verbessert: 16 Prozent mehr Energieeffizienz und 14 Prozent bessere Wärmeableitung gegenüber früheren Versionen.
Neben der aktuellen 12-Lagen-Version plant Samsung 8-Lagen-Module (32 GB) und 16-Lagen-Module (64 GB). Die Serienproduktion soll nach der Optimierungsphase auf Basis des Kundenfeedbacks anlaufen.
Der Schritt ist strategisch notwendig: Mitte 2025 hielt der Konkurrent SK Hynix rund 60 Prozent des HBM-Marktes, Samsung kam auf magere 17 Prozent. Micron lag bei etwa 21 Prozent.
Partnerschaft mit Nvidia: Der entscheidende Hebel
Die Auslieferung der HBM4E-Muster folgt auf die Bestätigung, dass Samsung offizieller Lieferant für Nvidias kommende KI-Plattform Vera Rubin wird. Nvidia-CEO Jensen Huang bestätigte kürzlich die Zusammenarbeit und nannte Samsung, SK Hynix und Micron als alle drei offiziellen HBM4-Lieferanten.
Bereits im Februar 2026 startete Samsung die Massenproduktion der Standard-HBM4-Chips. Ein Treffen zwischen Huang und Samsungs Chip-Chef Jun Young-hyun in Seoul unterstrich die wachsende strategische Bedeutung der Partnerschaft. Analysten sehen hier die Chance für Samsung, verlorenes Terrain zurückzuerobern.
Geschäftserholung und Milliarden-Investitionen
Der Speichervorstoß fällt in eine Phase der Erholung von Samsungs Halbleitersparte. Im ersten Quartal 2026 erreichte das Unternehmen einen DRAM-Marktanteil von 38,6 Prozent – ein Plus von 2,1 Prozentpunkten gegenüber dem Vorquartal. Der DRAM-Umsatz belief sich auf 37,4 Milliarden Dollar, der globale DRAM-Markt erzielte mit 97,1 Milliarden Dollar einen Rekord.
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Auch das Foundry-Geschäft stabilisiert sich und könnte im dritten Quartal 2026 wieder in die Gewinnzone zurückkehren. Zu den jüngsten Erfolgen zählen:
- Tesla-Deal: Ein Acht-Jahres-Vertrag über 16,5 Milliarden Dollar für KI-Chips
- Apple-Aufträge: Bildsensoren für iPhones
- Google-Verhandlungen: Gespräche über die Produktion eines Speicher-I/O-Bauteils für Googles zehnte TPU-Generation „Icefish“ im 2-Nanometer-Verfahren
- Ausbeute: Über 60 Prozent beim 2-Nanometer-GAA-Prozess (Gate-All-Around)
Um die wachsende Nachfrage nach KI-Hardware zu bedienen, erwägt Samsung zudem den Bau einer neuen Advanced-Packaging-Fabrik in Gwangju. Der Vorschlag für das Werk, das die heimische KI-Chip-Lieferkette stärken soll, könnte bei einem Treffen mit Regierungsvertretern am 29. Juni 2026 präsentiert werden.
