Im Rahmen der TSMC Open Innovation Platform (OIP) Conference in Santa Clara, Kalifornien, haben SK hynix und TSMC am 23. September 2026 einen bedeutenden Fortschritt in ihrer technologischen Zusammenarbeit bekannt gegeben.
Die beiden Unternehmen validierten gemeinsam die nächste Speichergeneration HBM5. Als Anerkennung für die erfolgreiche Integration von High Bandwidth Memory (HBM) in die 3D-Fabric-Technologien von TSMC wurde SK hynix zudem zum zweiten Mal in Folge als „Partner of the Year“ ausgezeichnet. Grundlage für diesen Erfolg ist das fortschrittliche 2.5D-Packaging-Verfahren CoWoS von TSMC.
Demonstration neuer Speicherlösungen für KI-Rechenzentren
SK hynix präsentierte während der Fachkonferenz ein breites Spektrum an Speichertechnologien, die speziell auf die Anforderungen von Künstlicher Intelligenz (KI) und Hochleistungsrechnen zugeschnitten sind. Ein zentrales Exponat war der NVIDIA-Superchip „Vera Rubin“. Dieser ist mit einem 12-Layer 36GB HBM4 sowie einem 96GB SOCAMM2-Modul von SK hynix ausgestattet.
Die Konfiguration der Vera-Rubin-Plattform zielt darauf ab, extrem breitbandige Datenkanäle bereitzustellen. Damit sollen bestehende Latenzprobleme bei Matrixberechnungen in modernen Rechenzentren adressiert werden. Während der HBM4-Speicher für die nötige Bandbreite sorgt, übernimmt die SOCAMM2-Erweiterung die Rechenprozesse für den Systemspeicher der Vera-CPU.
Neben diesen spezifischen Lösungen zeigte der Speicherhersteller weitere Kapazitätsstufen und Varianten seines Portfolios. Dazu gehörten ein 12-Layer 48GB HBM4E, ein 16-Layer 48GB HBM4 sowie ein 12-Layer 36GB HBM3E.
Ergänzt wurde die Ausstellung durch 192GB SOCAMM2-Module und verschiedene Server-DRAM-Komponenten, darunter das 256GB 3DS RDIMM und das 128GB MRDIMM, die in der 10nm-Klasse der sechsten Generation (1c) gefertigt werden.
Strategien gegen Speicherengpässe und Marktausblick
In technischen Präsentationen erläuterte SK hynix Strategien für kundenspezifische HBM-Lösungen. Diese seien notwendig, um sogenannte „Memory Bottlenecks“ in der KI-Ära zu überwinden. Das Unternehmen betonte dabei die Synergien mit den Foundry-Prozessen von TSMC. Ein etabliertes Kollaborationssystem ermögliche es, Logik-Halbleiter und Speicher bereits ab der frühen Designphase aufeinander abzustimmen und zu optimieren.
Die HBM5-Validierung von SK hynix und TSMC zeigt, wohin die nächste Speichergeneration läuft — während die DRAM- und HBM-Kapazität für 2026 bereits Ende 2025 vollständig ausverkauft war. Wer jetzt einkauft, braucht die Roadmap und einen Beschaffungsplan, bevor die Kontingente der nächsten Generation vergeben sind. Kostenlosen Speicher-Report für 2026 anfordern
Ein weiterer Fokus lag auf dem Markt für Enterprise-SSDs (eSSDs). Park Dae-sik, Teamleiter für PCIe-Design bei SK hynix, prognostizierte in einem gemeinsamen Vortrag mit Cadence ein massives Wachstum in diesem Sektor. Demnach werde das Volumen des PCIe-basierten eSSD-Marktes von 509 Exabyte im Jahr 2026 auf 1.933 Exabyte im Jahr 2030 ansteigen, was in etwa dem Faktor 3,8 entspricht.
Um dieser Nachfrage zu begegnen, stellte das Unternehmen neue Speicherlösungen wie die PEB210 E1.S mit direkter Flüssigkeitskühlung sowie die PS1101 E3.S vor – die erste QLC-basierte eSSD des Herstellers. Zukünftig plane SK hynix ab den Schnittstellen-Generationen PCIe-Gen6 und Gen7 den Einsatz Chiplet-basierter SSDs mit UCIe-Verbindungen. Diese sollen Entwicklungszeiten verkürzen, Kapazitäten erweitern und den Stromverbrauch senken.
Angespannte Marktlage bei hoher Nachfrage
Die strategische Bedeutung der Zusammenarbeit mit NVIDIA wurde ebenfalls deutlich. Bereits im Juni wurde bekannt, dass beide Unternehmen eine mehrjährige Kooperation für die Lieferung von maßgeschneidertem HBM für die Vera-Rubin-Systeme unterhalten.
Latenzprobleme bei Matrixberechnungen bremsen KI-Rechenzentren — die Antwort liegt im Zusammenspiel von HBM4, SOCAMM2 und dem 2.5D-Packaging CoWoS. Dieser Report erklärt, wie Logik und Speicher ab der frühen Designphase aufeinander abgestimmt werden und was das für Ihre Systemarchitektur heißt. CoWoS-Integrationsleitfaden jetzt sichern
Die Nachfrage nach diesen Komponenten ist derart hoch, dass die gesamte Produktionskapazität von SK hynix für DRAM und HBM für das Jahr 2026 bereits Ende 2025 vollständig ausverkauft war.
Mit der Vorstellung von HBM4 der sechsten Generation und weiteren Speicherlösungen wie HBF positioniert sich das Unternehmen weiterhin als zentraler Zulieferer für die nächste Generation von Rechenzentrumslösungen.
