Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon Technologies und der US-Konzern Nvidia bauen ihre Kooperation im Bereich der Energieversorgung für künstliche Intelligenz aus.
Wie beide Unternehmen am 21. Oktober 2026 auf der Konferenz Nvidia GTC in Berlin bekanntgaben, vertiefen sie ihre Zusammenarbeit bei 800-Volt-Gleichstrom-Architekturen (800 VDC). Der technologische Schwerpunkt liegt dabei auf Hochspannungs-Zwischenbuswandlern, sogenannten Intermediate Bus Convertern, die auf Galliumnitrid (GaN) basieren.
Galliumnitrid für energieintensive Rechenzentren
Die Ausweitung der Partnerschaft zielt auf den massiv wachsenden Energiebedarf moderner KI-Infrastrukturen ab. Die 800-VDC-Architektur ist für Systeme ausgelegt, die eine Leistung von bis zu 1 MW pro Server-Rack erreichen. Ein schrittweiser Einsatz dieser Systeme wird ab dem Jahr 2027 erwartet.
Infineon bringt in die Kooperation sein CoolGaN-Portfolio ein. Dieses deckt Konfigurationen von 800V-zu-50V, 800V-zu-12V sowie 800V-zu-6V ab. Ergänzt werden die Bauteile durch die Steuerungs- und Treiberbausteine PSoC Control C3 und EiceDRIVER. Die GaN-Wandlerkonfigurationen für 800V-zu-50V und 800V-zu-12V sind spezifisch für Nvidias MGX-Referenzarchitektur vorgesehen.
Der Einsatz von Galliumnitrid auf Ebene der Zwischenbuswandler ermöglicht nach Angaben von Infineon Schaltfrequenzen von bis zu 1 MHz. Dies erlaube kleinere magnetische und passive Bauelemente, führe zu einer höheren Leistungsdichte und reduziere die Bauhöhe der Komponenten.
CEO Jochen Hanebeck erklärte, dass GaN-basierte Systemlösungen einen Schlüssel für die nächste Rechenzentrumsgeneration darstellten und Halbleiter das Herzstück zur Bewältigung der Herausforderungen in der KI-Strominfrastruktur seien.
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Mehrstufige Wandlung und Schutzmechanismen
Die Zusammenarbeit baut auf einer Vereinbarung aus dem Mai 2025 auf, die sowohl Siliziumkarbid (SiC) als auch GaN umfasste und im Oktober 2025 für wartbare, im laufenden Betrieb austauschbare Server-Racks konkretisiert wurde. Die jüngste Vereinbarung setzt den Schwerpunkt nun verstärkt auf GaN für Buswandler. Zudem liefert Infineon SiC-Bauteile sowie Schutzkomponenten für das 800-VDC-Ökosystem von Nvidia.
Darüber hinaus umfasst die Zusammenarbeit integrierte Funktionen zum Schutz der Strompfade und Controller für den Komponententausch im laufenden Betrieb auf künftigen Server-Boards.
Infineon verfolgt damit das Ziel, Verteilverluste auf begrenzter Platinenfläche zu reduzieren, den Kühlbedarf zu senken und ein kontrolliertes Vor- und Entladen der Server-Mainboards zu ermöglichen. Die 800-VDC-Technik soll dabei als zusätzliche Option neben bestehenden Wechselstrom- und Niederspannungs-Gleichstrom-Architekturen etabliert werden.
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Strategische Einordnung im Markt
Hintergrund der Entwicklung ist eine Verschiebung der Engpässe in Hochleistungs-Rechenzentren. Bei steigender Leistungsdichte auf Rack-Ebene gilt zunehmend die Energieversorgung und deren Wandlung als kritischer Faktor, während Nvidia Racks ab 1 MW für 2027 anvisiert. Um einheitliche Standards zu schaffen, arbeiten Nvidia, Google und Microsoft bereits im Rahmen des Open Compute Project an gemeinsamen Spezifikationen für 800-Volt-Architekturen.
Für Infineon gilt die Kooperation als strategischer Erfolg, da Design-Wins auf Wandlerebene durch die frühe Plattformqualifizierung traditionell langfristig angelegt sind, auch wenn sich Umsatzbeiträge erst verzögert einstellen dürften. Für Nvidia wiederum dient die Zusammenarbeit vor allem der Absicherung robuster Lieferketten für kommende Hardware-Generationen.