Der japanische Speicherhersteller Kioxia hat in Tokio das CXL-Modul XL1 vorgestellt, das auf der firmeneigenen XL-FLASH-NAND-Technologie basiert. Ziel des Produkts ist es, einen Teil des DRAM-Bedarfs in KI-Servern zu ersetzen und damit auf die stark steigende Nachfrage nach Speicherkapazität im Zuge des KI-Booms zu reagieren.
Leistungsangaben und technische Details
Nach Angaben von Kioxia beträgt die Leselatenz des XL1 weniger als ein Zehntel der Latenz herkömmlicher NAND-Speicher. Bei gleichbleibenden Kosten soll das Modul die doppelte Kapazität sowie eine Leistungssteigerung von 30 Prozent gegenüber bisherigen Lösungen ermöglichen.
Die zugrunde liegende XL-FLASH-Technologie weist laut Kioxia eine Leselatenz von 5 Mikrosekunden oder weniger sowie eine Ausdauer von mindestens 150.000 Schreib-/Löschzyklen auf. Das CXL-Modul selbst reduziere die Latenz um mehr als 90 Prozent.
Detailliertere Angaben zur zweiten Generation der Technologie, XL-FLASH Gen2, nennen ebenfalls eine Leselatenz von 5 Mikrosekunden oder weniger, allerdings mit einer Ausdauer von 150.000 bis 250.000 Zyklen. Das darauf aufbauende XL1-Modul erreicht demnach eine stabile Leselatenz von 10 Mikrosekunden oder weniger.
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Kioxia führte zudem eine Simulation an, wonach der Ersatz eines Drittels des DRAM-Anteils durch CXL-Speicher zu einer Leistungseinbuße von höchstens 5 Prozent führe. Bei gleichbleibenden Kosten verdopple sich dabei die Kapazität, während die Anwendungsleistung um 30 Prozent steige.
Diese Leistungsangaben, insbesondere die verdoppelte Kapazität und der Performance-Zuwachs, stammen aus unternehmenseigenen Tests, deren Ergebnisse bislang nicht unabhängig verifiziert wurden.
Fahrplan und Kundenkontakte
Das XL1-Modul befindet sich laut Kioxia derzeit in der Bewertungsphase bei Kunden. Musterlieferungen an interessierte Abnehmer seien in naher Zukunft geplant. Darüber hinaus verfolgt Kioxia Pläne, bis zum Jahr 2028 KI-SSD-Muster für Nvidia-Grafikprozessoren bereitzustellen.
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Strategische Einordnung
Die Vorstellung des CXL-Moduls erfolgte im Rahmen eines technischen Briefings von Kioxia Holdings, bei dem das Unternehmen seine Strategie darlegte, verbesserten NAND-Flash-Speicher als Alternative zu DRAM zu positionieren. Damit will Kioxia die Beziehungen zu US-amerikanischen Technologieunternehmen ausbauen und sich zugleich gegenüber chinesischen Wettbewerbern behaupten.
Unternehmensvertreter Matsudera Katsuki betonte im Zuge der Präsentation ein aus seiner Sicht beispielloses Wachstum der Flash-Nachfrage im Zusammenhang mit KI-Anwendungen.
Die Entwicklung des CXL-Moduls wird auch als Reaktion auf den strukturellen Wettbewerbsdruck durch die Speicherhersteller Micron und YMTC gewertet. Beide Unternehmen treiben eigene Entwicklungen im Bereich alternativer Speicherarchitekturen für Rechenzentren voran, in denen der Bedarf an schnellem, kosteneffizientem Speicher durch den Ausbau von KI-Infrastruktur kontinuierlich steigt.
Mit dem XL1-Modul positioniert sich Kioxia damit in einem Marktsegment, in dem CXL-basierte Speichererweiterungen zunehmend als Ergänzung oder Teilersatz für klassischen Arbeitsspeicher diskutiert werden. Ob sich die vom Unternehmen genannten Leistungswerte in unabhängigen Tests bestätigen lassen, dürfte sich erst mit den für Kunden angekündigten Musterlieferungen zeigen.
