Nvidia arbeitet an einem eigenen Memory-Controller für den Base Die von HBM-Speicherstapeln, der als NVHBM bezeichnet wird. Ziel des Vorhabens ist es, den Einfluss der etablierten Speicherhersteller Samsung, SK hynix und Micron auf die Architektur künftiger High-Bandwidth-Memory-Lösungen zu verringern.
Technische Verbesserungen durch NVHBM
Der neue Ansatz platziert den Memory-Controller direkt im HBM-Base-Die. Laut Angaben soll NVHBM im Vergleich zu HBM4E eine um 30 Prozent höhere Bandbreite sowie einen um 15 Prozent geringeren Stromverbrauch bieten.
Zusätzlich soll die Compute-Die-Fläche um 25 Prozent zunehmen. Mit diesen Kennwerten würde Nvidia einen zentralen Baustein der Speicherarchitektur künftig selbst kontrollieren, statt ihn vollständig den Speicherherstellern zu überlassen.
Amazon als erster Partner
Als erster Partner für NVHBM gilt Amazons Chip-Tochter Annapurna Labs. Der kommende Trainium-4-Chip von Annapurna Labs soll NVLink Fusion unterstützen. Für Partner der NVLink-Fusion-Plattform stellt Nvidia demnach einen speziellen Custom Base Die sowie die zugehörige PHY-Technologie zur Verfügung. Darüber hinaus kooperiert Nvidia laut Berichten mit AWS auch an einem Standard-Base-Die.
Samsungs Rolle bei der Fertigung
Trotz der Bestrebungen, die eigene Kontrolle über die Speicherarchitektur zu erhöhen, bleibt Samsung als Fertigungspartner im Spiel. Der Konzern entwickelt einen 8-lagigen HBM4E-Speicher speziell für Nvidias NVHBM-Konzept.
Angestrebt wird eine Datenrate von 17 bis 18 Gbps – mehr als 20 Prozent über den 14,4 Gbps früherer Samples. Dieser Speicher soll in Nvidias Rubin-Ultra-Chips zum Einsatz kommen. Eine niedrigere Stapelhöhe soll dabei helfen, Fertigungsschwierigkeiten zu reduzieren.
Nvidia plant mit NVHBM einen eigenen Memory-Controller für HBM-Speicher – das verschiebt die Machtverhältnisse in der Lieferkette. Erfahren Sie in unserem kostenlosen Report, wie sich diese Entwicklung auf Samsung, SK hynix und Micron auswirkt und welche Chancen sich für Anleger ergeben. Jetzt kostenlosen Analyse-Report anfordern
SK hynix reagiert mit eigener Strategie
Während Samsung an der Kooperation mit Nvidia arbeitet, verfolgt SK hynix eigene Pläne: Der Konzern wirbt Berichten zufolge Ingenieure von Samsungs System-LSI-Sparte ab und plant, seinen eigenen HBM4E-Base-Die künftig bei TSMC fertigen zu lassen. Damit würde SK hynix bei der Base-Die-Produktion auf einen externen Auftragsfertiger statt auf die eigene Fertigung setzen.
Milliardeninvestition in den USA
Parallel zu den Entwicklungen rund um NVHBM baut SK hynix seine Fertigungskapazitäten in den USA aus. In West Lafayette, Indiana, entsteht ein neues Werk für HBM4E-Packaging. Die Investition beläuft sich auf über 4 Milliarden US-Dollar.
Der Spatenstich erfolgte am 27. August 2026, ein Reinraum soll im Oktober 2028 fertiggestellt sein, die Massenproduktion ist für die zweite Jahreshälfte 2029 beziehungsweise das dritte Quartal 2029 vorgesehen. Das Werk soll rund 1.000 Mitarbeiter beschäftigen und mit der Purdue University zusammenarbeiten.
Der CEO von SK hynix rechnet trotz dieser Investitionen mit einem anhaltenden Speichermangel bis Ende 2030. Die neuen US-Kapazitäten würden die Lage kurzfristig nicht entspannen, da sie erst gegen Ende des Jahrzehnts in Betrieb gehen.
Während SK hynix über 4 Milliarden US-Dollar in ein neues US-Werk investiert und Samsung einen 8-lagigen HBM4E für Nvidia entwickelt, stellt sich die Frage: Wer profitiert langfristig vom HBM-Boom? Unser Leitfaden ordnet die Strategien der Speicherhersteller ein und zeigt, worauf Investoren achten sollten. Leitfaden zu HBM-Investitionschancen jetzt sichern
Verschobene Machtverhältnisse in der Lieferkette
Die parallelen Entwicklungen zeigen, wie sich das Kräfteverhältnis in der HBM-Lieferkette verschiebt. Während Nvidia mit NVHBM und der Zusammenarbeit mit Annapurna Labs versucht, mehr Kontrolle über die Speicherarchitektur zu gewinnen, positionieren sich Samsung und SK hynix unterschiedlich: Samsung setzt auf enge technische Kooperation mit Nvidia, SK hynix verfolgt mit der TSMC-Partnerschaft und dem Ausbau der US-Fertigung einen eigenständigeren Kurs.
