Im Rahmen der Fachkonferenz Future of Memory and Storage (FMS) in Santa Clara hat Samsung am 4. August 2026 neue Speichertechnologien vorgestellt, die gezielt auf die Beseitigung von Engpässen in der KI-Infrastruktur ausgerichtet sind. Im Mittelpunkt der Präsentation standen die Konzepte zHBM und BV-NAND, mit denen der Konzern die Leistungsfähigkeit und Effizienz von Rechenzentren signifikant steigern will.
Vertikales Stacking und neue Leistungsdimensionen bei zHBM
Mit der Einführung von zHBM verfolgt Samsung einen technologischen Ansatz, bei dem der Speicher vertikal direkt über den KI-Beschleunigern gestapelt wird. Durch diese Architektur entfällt die Notwendigkeit eines Interposers, was die Komplexität des Designs reduziert. Laut Unternehmensangaben ermöglicht dieses Konzept die 10-fache Dichte von HBM5 und eine Verdreifachung der Energieeffizienz. Gleichzeitig soll der Wärmewiderstand um über 50 % gesenkt werden.
Hinsichtlich der Performance stellt Samsung eine 4- bis 8-fache Leistungssteigerung gegenüber dem Standard HBM5 in Aussicht. Ergänzend dazu werde der Stromverbrauch um 30 % reduziert. Neben diesen zukunftsweisenden Konzepten zeigte das Unternehmen auf der Messe auch Muster von HBM4E sowie HBM5 und stellte Lösungen wie LPDDR5X-PIM und PM1763 vor.
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Fortschritte bei der NAND-Technologie und Marktposition
Parallel zum Hochleistungsspeicher für KI-Beschleuniger treibt Samsung die Entwicklung im Bereich Flash-Speicher voran. Die neue BV-NAND-Generation (V10) überschreitet erstmals die Marke von 400 Schichten. Durch den Einsatz von Wafer-Bonding erreicht diese Technologie eine um 58 % höhere Dichte im Vergleich zur Vorgängergeneration V9. Die Leistungsdaten des V10-Speichers umfassen laut Hersteller eine um 45 % verbesserte Schreibleistung, eine um 20 % gesteigerte Leseleistung sowie eine um 33 % höhere I/O-Performance.
Für spezifische Anwendungen im Bereich Edge-KI präsentierte Samsung zudem das Konzept zNAND-O mit 4 oder 8 Schichten. Erste Muster dieser Technologie werden für das Jahr 2028 erwartet. Auf wirtschaftlicher Ebene gab das Unternehmen bekannt, dass der Speicherumsatz im ersten Quartal 50,4 Mrd. US-Dollar betrug. Langfristige Liefervereinbarungen (LTAs) sollen künftig einen Anteil von 60 % bis 70 % am gesamten Speicherumsatz einnehmen können.
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Branchenweite Standardisierung und Wettbewerb durch SK Hynix
Zeitgleich zur Konferenz am 4. August 2026 kündigte der Wettbewerber SK hynix in Kooperation mit SanDisk die Einführung des ersten HBF-Standards (High Bandwidth Flash) an. Dieser neue Standard für NAND-Stapel umfasst 8 oder 16 Schichten und bietet Kapazitäten von bis zu 512 GB. Die Bandbreite wird mit 0,4 bis 3,0 TB/s angegeben, wobei eine UCIe-Schnittstelle zum Einsatz kommt. Dem HBF-Konsortium sind bereits namhafte Partner wie Google und Tenstorrent beigetreten. Während Prototypen für die zweite Jahreshälfte 2026 erwartet werden, soll die Kommerzialisierung im Jahr 2027 erfolgen.
Darüber hinaus stellte SK hynix einen V10 4D-NAND mit 375 Schichten vor, der sich durch eine 2,5-fache Energieeffizienz auszeichnen soll. Die Massenproduktion von Enterprise-SSDs (eSSDs) auf Basis dieser Technologie ist für Anfang 2027 geplant. Damit unterstreichen beide führenden Speicherhersteller die Notwendigkeit, Speicherlösungen technologisch enger mit der Rechenleistung von KI-Systemen zu verzahnen.
