Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK Hynix hat am 27. August 2026 den offiziellen Spatenstich für sein erstes Werk zur Verpackung von High Bandwidth Memory (HBM) in den USA vollzogen.
Die Anlage in West Lafayette im Bundesstaat Indiana markiert einen strategischen Meilenstein, da es sich um die erste spezialisierte HBM-Verpackungsstätte auf US-amerikanischem Boden handelt. Das Investitionsvolumen für dieses Großprojekt beläuft sich auf mehr als 4 Mrd. US-Dollar.
Baufortschritt und Zeitplan der neuen Fertigungsstätte
Die Bauarbeiten auf dem rund 539.600 Quadratmeter großen Gelände im Purdue Research Park begannen bereits im April 2026. Aktuellen Berichten zufolge ist das Bauvorhaben derzeit zu etwa 7 Prozent abgeschlossen, wobei die Gebäudestruktur einen Fertigstellungsgrad von 15 Prozent aufweist. Der Zeitplan sieht vor, dass der Reinraum, der eine Fläche von 16.860 Quadratmetern umfassen wird, im Oktober 2028 fertiggestellt wird.
Die Massenproduktion der nächsten Speichergeneration, HBM4E, soll laut Unternehmensplanung in der zweiten Jahreshälfte 2029 anlaufen, wobei konkrete Prognosen den Start auf das dritte Quartal 2029 datieren. Die Anlage wird sich ausschließlich auf das sogenannte Advanced Packaging konzentrieren und nicht auf die Frontend-Fertigung der Chips. Die geplante jährliche Kapazität liegt bei mehreren hunderttausend DRAM-Wafern.
Staatliche Förderungen und wirtschaftliche Auswirkungen
Die Realisierung des Projekts wird durch umfangreiche staatliche Förderprogramme unterstützt. Die US-Regierung stellt im Rahmen des CHIPS Act direkte Fördermittel in Höhe von 458 Mio. US-Dollar sowie Kredite über 500 Mio. US-Dollar bereit. Zusätzlich gewährt der Bundesstaat Indiana Steueranreize im Wert von bis zu 712 Mio. US-Dollar.
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Lokale Steuerregelungen sehen zudem Grundsteuern in Höhe von 500 Mio. US-Dollar über einen Zeitraum von 30 Jahren vor. Während das Gesamtvolumen in den meisten Berichten mit über 4 Mrd. US-Dollar angegeben wird, beziffern einige Quellen die Investitionssumme präziser auf 3,87 Mrd. US-Dollar.
Die Ansiedlung hat erhebliche Auswirkungen auf den regionalen Arbeitsmarkt. SK Hynix rechnet mit der Schaffung von rund 1.000 direkten Arbeitsplätzen. Unter Berücksichtigung indirekter Effekte wird erwartet, dass insgesamt etwa 7.000 Stellen entstehen.
Flankiert wird der Fabrikbau durch eine Forschungskooperation: Das Unternehmen hat eine Absichtserklärung (MOU) mit der Purdue University unterzeichnet, um gemeinsame Projekte in Forschung und Entwicklung voranzutreiben.
Strategische Positionierung bis 2030
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CEO Kwak erklärte im Rahmen der Zeremonie, dass Indiana bis zum Jahr 2030 zu einem zentralen Standort für die Speicherproduktion avancieren werde. Bis zu diesem Zeitpunkt plant SK Hynix, seine Gesamtinvestitionen in den USA auf über 45 Mrd. US-Dollar zu steigern. Ziel sei der Aufbau einer integrierten HBM-Produktionskette zwischen Südkorea und den USA.
Diese Expansion erfolgt vor dem Hintergrund einer starken Marktposition; im ersten Quartal 2026 hielt SK Hynix einen Marktanteil von 58 Prozent im HBM-Sektor. Das Unternehmen begründet die massiven Investitionen auch mit einer prognostizierten Speicherknappheit, die nach Einschätzung der Verantwortlichen bis zum Ende des Jahrzehnts anhalten könnte.
