Halbleiter

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SiC-Transistor: Neue Struktur arbeitet stabil bis 600 °C

SiC-Transistor: Neue Struktur arbeitet stabil bis 600 °C

In einer neuen Untersuchung haben Forscher signifikante Fortschritte bei der thermischen Stabilität und Leistungsfähigkeit von Halbleiterbauelementen für extreme Einsatzbedingungen erzielt. Eine Forschungsgruppe um Kaneko präsentierte im Fachmagazin APL Electronic Devices am 21. August 2026 neue Ergebnisse zu Transistoren auf Basis…