Schlagwort Halbleiter
Xiaomi Xuanjie O3: Neuer Smartphone-Chip schlägt A19 Pro
Xiaomi hat drei selbst entwickelte Chips vorgestellt: den Flaggschiff-SoC Xuanjie O3 im 3-Nanometer-Verfahren, den KI-Beschleuniger Xuanjie O100 in 6-Nanometer-Technik sowie den Automobil-KI-Chip Xuanjie D100, ebenfalls in 3 Nanometern gefertigt. Mit der Ankündigung untermauert das chinesische Unternehmen seinen Anspruch, in der…
CXMT klagt gegen Pentagon: Chinesischer Chipmaker fordert Streichung von Blacklist
Der chinesische Speicherchiphersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) hat am Freitag eine Klage gegen das US-Verteidigungsministerium eingereicht.Das Unternehmen fordert vor dem Bundesgericht in Washington die Streichung von der sogenannten 1260H-Liste, auf der Firmen als „chinesische Militärunternehmen“ geführt werden. Die Klage richtet…
NVHBM: Nvidia plant eigenen Memory-Controller gegen Samsung und SK hynix
Nvidia arbeitet an einem eigenen Memory-Controller für den Base Die von HBM-Speicherstapeln, der als NVHBM bezeichnet wird. Ziel des Vorhabens ist es, den Einfluss der etablierten Speicherhersteller Samsung, SK hynix und Micron auf die Architektur künftiger High-Bandwidth-Memory-Lösungen zu verringern. Technische…
Intel 14A-Prozess: 15–20% mehr Performance, 25–35% weniger Strom
Im Rahmen der Deutsche Bank Tech Conference am 26. August 2026 gab Intel-Finanzvorstand David Zinsner Einblicke in die aktuelle Entwicklung der hauseigenen Halbleiterfertigung. Im Zentrum der Ausführungen stand der kommende 14A-Prozess, dessen Fortschritte bei der Reduktion der Defektdichte laut Unternehmensangaben…
LPDDR5X-PIM: Samsung senkt KI-Inferenz-Kosten drastisch
Samsung hat auf der Hot-Chips-Konferenz (23. bis 26. August) eine neue Speichertechnologie vorgestellt, die die KI-Inferenz kostengünstiger machen soll als bisherige Lösungen mit High Bandwidth Memory (HBM).Der als LPDDR5X-PIM bezeichnete Chip verlagert Rechenoperationen direkt in den Speicher (Processing-in-Memory) und soll…
SOT-MRAM: TSMC entwickelt Speicher mit 2 Nanosekunden Schreibzeit
Forscher haben in Zusammenarbeit mit dem Halbleiterhersteller TSMC eine neue Variante der SOT-MRAM-Speichertechnologie entwickelt, die deutlich schneller und sparsamer arbeitet als bisherige Ansätze. Wie am 28. August 2026 berichtet wurde, erreicht der Speicherbaustein eine Schreibzeit von 2 Nanosekunden bei einem…
SK Hynix baut HBM-Fabrik in Indiana: 4 Mrd. Dollar Investition
Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK Hynix hat am 27. August 2026 den offiziellen Spatenstich für sein erstes Werk zur Verpackung von High Bandwidth Memory (HBM) in den USA vollzogen. Die Anlage in West Lafayette im Bundesstaat Indiana markiert einen strategischen Meilenstein,…
Kioxia und Sandisk: 31,4 Mrd. Dollar für NAND-Fabrik bis 2032
Die Speicherchip-Hersteller Kioxia und Sandisk haben eine Investition von über 5 Billionen Yen (31,4 Mrd. US-Dollar) in Japan über einen Zeitraum von sechs Jahren bis 2032 angekündigt. Das Vorhaben steht unter dem Vorbehalt staatlicher Unterstützung. Die Ankündigung erfolgte im Rahmen…
NVHBM: NVIDIA stellt Custom-Speicher mit 30% mehr Bandbreite vor
Im Rahmen der technologischen Weiterentwicklung seiner KI-Plattformen hat NVIDIA am 26. August mit NVHBM ein eigenes, kundenspezifisches Design für High Bandwidth Memory (HBM) angekündigt.Die Neuentwicklung zielt darauf ab, die Leistungsgrenzen herkömmlicher Speicherlösungen zu durchbrechen und ist eng mit der ebenfalls…
Groq 3 LPX: Nvidias neuer Inferenz-Chip erreicht Rekord von 3.400 Tokens/s
Nvidia hat den Startschuss für die vollständige Serienfertigung seines neuen Inferenz-Chips Groq 3 LPX gegeben. Der Baustein erweitert die Vera-Rubin-NVL72-Plattform des Unternehmens und soll laut Nvidia im Artificial-Analysis-Benchmark auf dem Modell Gemma 4 31B mit einem Kontextfenster von 100.000 Tokens…