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3D-DRAM: Samsung, SK Hynix und Micron revolutionieren Speicher

3D-DRAM: Samsung, SK Hynix und Micron revolutionieren Speicher

Die Speicherindustrie vollzieht einen grundlegenden Wandel: Dreidimensionale Architekturen sollen die Leistungsgrenzen der Künstlichen Intelligenz sprengen.TAIPEI – Auf der diesjährigen Semicon Taiwan hat die globale Halbleiterbranche eine klare Richtung eingeschlagen: Weg von flachen, hin zu vertikalen Speicherstrukturen. Samsung Electronics und SK…